如何分辨固态硬盘是否损坏

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如何分辨固态硬盘是否损坏

　　时下硬盘主要分为机械硬盘和固态硬盘两种，而以往的机械硬盘在电脑硬件中，属于比较容易损坏的硬件，那么固态硬盘容易坏吗?如何分辨固态硬盘是否损坏?本次就给大家介绍下。

　　固态硬盘容易坏吗?

　　从理论上来说，固态硬盘相比机械硬盘更容易损坏一些，这主要是寿命决定的。不过，用户也无需担心，一般正常使用，固态硬盘使用3-5五年压力不大，因此关于固态硬盘是否容易坏，只是一个相对的问题。

　　如何分辨固态硬盘是否损坏

　　征兆1：出现坏块

　　机械硬盘“坏道”，固态硬盘存在“坏块”也就不奇怪了。出现此类问题的通常表现为操作系统需要非常长的时间来尝试读取或保存某个文件，而最终会出现类似“放弃操作“的错误信息。而出现“坏块”的常见症状有：

　　征兆2：文件无法读或取

　　(1)当系统检测到数据将写入坏块时，将直接拒绝写入;

　　(2) 对于已写入坏块中的数据，操作系统将拒绝读取;

　　征兆3：文件系统需要修复

　　这是大家最害怕，也是最直观的征兆：电脑出现蓝屏，上面显示着大大的Recovery字标。

　　征兆4：启动时频繁死机崩溃

　　如果你的磁盘即将“牺牲”，那么你开机的时候系统就会经常在启动过程中崩溃。

　　征兆5：磁盘变成只读

　　如果你没有修改任何手动设置磁盘为只读模式，但SSD突然变成了只读模式，那多半就是SSD挂了，不过数据还是可以读出，算是不幸中的万幸。

　　以上就是我介绍的如何分辨固态硬盘是否损坏，希望对你有帮助。

　　拓展：固态硬盘介绍

　　一、闪存的类型

　　闪存芯片中，除了我们耳熟能祥的SLC、MLC、TLC以外，还有一种叫QLC闪存芯片。

　　SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，其结构简单但是执行效率高，最大的特点就是速度快，寿命长，价格超贵（约MLC 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命。

　　MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，其有00,01,10,11四个充电值。因此，要比SLC需要更多的访问时间。其最大特点就是速度中等，寿命中等，价格比SLC便宜，约3000---10000次擦写寿命。

　　TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，每个单元可以存放比MLC多1/2的数据，共八个充电值，111、110、101、011、010、001、000。最大特点就是速度慢寿命短，约500-1000次擦写寿命，但价格是三者最低的。

　　QLC = Quad-Level Cell，我们知道，TLC闪存是每个Cell单元存储3位电荷，有8种状态，QLC闪存则是存储4位电荷，有16种状态。这意味着QLC闪存单位存储密度更大，是TLC的2倍，单颗芯片可达到256GB甚至512GB。但是，也因如此，QLC闪存的电压更难控制，写入速度更低，可靠、稳定性及寿命比TLC更差。

　　二、固态硬盘怎么存储？

　　同机械硬盘原理区别很大，固态硬盘是用NAND Flash来存储数据。NAND Flash在物理结构上是由一个一个的“块”组成。每个块都有一定的擦除寿命（P/E），当擦除寿命达到时，这个块就会损坏了。不知道大家注意没有，现在的固态硬盘和机械硬盘不同，容量都是120GB、240GB、480GB、960GB，而不是我们通常理解的128GB、256GB、512GB、960GB。近似规格的容量，其实都是用来校验数据和备份冗余这些“块”的。

　　理论上，TLC闪存是为了能够支持100TB级别的固态硬盘而设计出来的闪存结构（密度大），当然，这仅仅是理论支持而已，成本上依然不能让普通用户接受。所以存储密度更大的QLC出现，就是进一步加强固态硬盘容量的技术变革。小编预测QLC闪存的固态硬盘推出时，将是真正TB（960GB）级别固态硬盘走向普及的第一步（当然不要幻想和机械硬盘同量同价哦）。而且在超大容量面前，写入次数少的问题也可以依靠更多的冗余来弥补，更何况擦除寿命这个事儿，本身就没什么可担心的。

　　三、固态硬盘能写多少？

　　根据NAND Flash的类型不同，擦除寿命P/E也不相同，目前存在的NAND Flash分为SLC、MLC、TLC三种类型，加上即将出现的QLC一共是四种。三种类型的闪存P/E分别为SLC 5000～10000次，MLC 1000～3000次，TLC 500～1000次。QLC有多少呢？根据现在的说法，QLC结构的闪存P/E只有150次。150次那不是完全不能用吗？别担心，技术在进步，这只是初期的技术验证产物，后续肯定会改良。别忘了TLC刚刚上市的时候，P/E不过500次而已。

　　在这里，小编还要给大家解除一个误区，很多人说写入次数太少了肯定寿命短，但是这个长短的概念可真不是单纯字面理解的1000次、3000次什么的。举个实际点的例子吧，小编的120GB固态硬盘是TLC的，按照1000次的P/E写入次数计算，这块硬盘的写入总量应该是120×1000=120000GB，如果是每天写满120GB，那么它的寿命理论是2.7年。是不是感觉很少呢？

　　这就是问题所在，说说结果吧，从今年1月3日开始使用这块固态硬盘，目前为止接近半年时间（180天）总计写入量为2413GB，相当于平均每天只写入了13.4GB，距离理论每天写满120GB差了将近10倍，2.7年的所谓理论寿命是不是毫无意义了？

　　四、固态硬盘寿命杀手究竟是谁？

　　与其担心写入量的问题会影响固态硬盘寿命，不如担心一下固态硬盘寿命的真正杀手——过热和突然断电。因为固态硬盘是用电信号擦除写入数据，所以突然断电对固态硬盘来说非常严重的事情，频繁的突然断电可能会导致数据丢失，包括已写入保存的数据！这和机械硬盘是有本质区别的。所谓突然断电，比如说停电、硬关机这类都属于断电范畴。

　　另一个寿命杀手就是过热了，固态硬盘其实耐热能力不如机械硬盘，过热会极大缩短固态硬盘中闪存颗粒的寿命，这是因为电子芯片会因为过热产生一种叫做电子迁移的现象，说白一点就是加速老化，从物理结构上造成不可逆的寿命损伤，如果长时间高强度使用固态硬盘，再加上散热工作不到位，就很容易造成固态硬盘过热，就小编的看法，这远比关心闪存颗粒的擦写次数更值得关注。

　　QLC虽说速度、寿命、稳定性等方面比TLC差，但是更便宜的成本、更大容量的优势是无法忽视的。就像当年TLC从不被接纳到广泛认可，目前QLC闪存处于研发阶段，要想它能够运用到SSD上还需要一段时间，技术的进步，大家担心的固态硬盘寿命有多长的问题相信都会得到很好的解决的。

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