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中级电工证考试试题

时间:2020-10-24 18:04:38 培训考试 我要投稿

2015年中级电工证考试试题

  一、单一选择题:

2015年中级电工证考试试题

  1.金属导体的电阻值随着温度的升高而( )。

  A:增大 B:减少 C:恒定 D:变弱

  2.纯电感电路的感抗为( )。

  A:L B:ωL C:1/ωL D:1/2πfL

  3.在正弦交流电阻电路中,正确反映电流电压的关系式为( )。

  A:i=U/R B:i=Um/R C:I=U/R D:I=Um/R

  4.在有些情况下为了缩短晶闸管的导通时间,加大触发电流(两倍以上)这个电流称为( )。

  A:触发电流 B:强触发电流 C:掣位电流 D:导通电流

  5.三相负载接在三相电源上,若各相负载的额定电压等于电源线电压1/ ,应作( )连接。

  A:星形 B:三角形 C:开口三角形 D:双星形

  6.单相正弦交流电路中有功功率的表达式是( )。

  A:UI B: UI C:UIcosφ D:UIsinφ

  7.纯电容交流电路中电流与电压的相位关系为电流( )。

  A:超前90° B:滞后90° C:同相 D:超前0~90°

  8.两个正弦量为u1=36sin(314t+120°)V,u2=36sin(628t+30°)V,则有()。

  A:u1超前u290° B:u2比u1超前90° C:不能判断相位差 D:

  9.射极输出器的输出阻抗( ),故常用在输出极。

  A:较高 B:低 C:不高不低 D:很高

  10.二极管半波整流时负载两端的直流电压等于( )。

  A:0.75U2 B: U2 C:0.45U2 D:0.9U2

  11.三相变压器的连接组别是表示( )。

  A:原付边线电压的相位关系 B:原付边的同名端关系 C:原付边相电压的时至中关系 D:原付边电流大小关系

  12.射极输出器的电压放大倍数约等于( )。

  A:80--100 B:1 C:<50

  13.晶闸管的控制角越大,则输出电压( )。

  A:越高 B:移相位 C:越低 D:越大

  14.某正弦交流电压的初相角中,φU=π/6,在t=0时,其瞬时值将( )。

  A:小于零 B:大于零 C:等于零 D:不定

  15.已知msinwt第一次达到最大值的时刻是0.005s,则第二次达到最大值时刻在( )。

  A:0.01s B:0.025s C:0.05s D:0.075s

  16.U=311sin(314t-15°)伏,则U=( )伏。

  A:220∠-195° B:220∠1950° C:311∠-15° D:220∠-15°

  17.实际电压源与实际电流源的等效互换,对内电路而言是( )。

  A:可以等效 B:不等效 C:当电路为线性时等效 D:当电路为非线性时等效

  18.任一条件具备都可以得到肯定的结论,这是( )逻辑。

  A:与 B:或 C:或非 D:非

  19.在放大电路中,为了稳定输出电流,应引入( )。

  A:电压负反馈 B:电压正反馈 C:电流负反馈 D:电流正反馈

  20.Z=A+B是( )逻辑。

  A:与 B:与或非 C:与或非 D:或非

  21.在三极管放大电路中,为了增强带负载的能力应采用( )放大电路。

  A:共发射极 B:共基极 C:共集电极 D:共阴极

  22.结论和给定条件相反的逻辑是( )。

  A:与 B:或 C:与非 D:非

  23.已知放大电路中三个管脚对地的电位是(1)0V;(2)0.7V;(3)6V,则该三极管是( )型。

  A:NPN B:PNP C:硅管 D:锗管

  24.放大器采用射极偏置改善工作点偏离的是( )。

  A:电流正反馈 B:电流负反馈 C:电压正反馈 D:电压负反馈

  25.可控硅的正向阻断是( )。

  A:可控硅加小向阳极电压,控制极加反向电压 B:可控大地加厂向阳极电压,控制极不加反向电压

  C:可控硅加反向阳极电压,控制极加正向电压 D:可控硅加反向阳极电压,控制极加反向电压

  26.一三相对称负载,三角形连接,已知:相电流IBC=10∠-10°安,则线电流I=( )安。

  A:17.3∠-40° B:10∠-160° C:10∠80° D:17.3∠80°

  27.单相半波可控硅整流电路,决定控制角的元件是( )。

  A:U2 B:U2/2 C: U2 0.45U2

  28.所有条件都具备,才有肯定的结论,这是( )逻辑。

  A:与非 B:或非 C:与 D:非

  29.单相桥式半

  控整流电路,通过改变控制角,负载电压可在( )之间连续可调。

  A:0~0.45U2 B:0~0.9U2 C:0~U2 D:0~2.34U2

  30.已知:I=-14.1sin100πtA,其电流相量I=( )A。

  A:14.1∠0° B:14.1∠180° C:10∠0° D:10∠-180°

  31.可控硅导通条件是( )。

  A:阳极与阴极加正向电压,控制极与阳极加反向电压 B:阳极与阴极加正向电压,控制极与阴极加正向电压

  C:阳极与阴极加反向电压,控制极与阳极加反向电压 D:阳极与阳极加反向电压,控制极与阴极加正向电压

  32.晶体三极管发射结反偏置、集电结处于偏置,晶体三极管处于( )工作状态。

  A:放大 B:截止 C:饱和 D:开路

  33.晶体三极管发射结处于正偏,集电结处反偏,则三极管的工作状态为( )。

  A:饱和 B:截止 C:放大 D:导通

  34.已知e=311sin (314t+5°)V,其相量E=( )。

  A:311∠5° B:220∠5° C:220∠+185° D:220∠+175°

  35.戴维南定理只适用于( )。

  A:外部为非线性电路 B:外部为线性电路 C:内部为线性含源电路 D:内部电路为非线性含源电路

  36.可控硅有( )PN结组成。

  A:1个 B:2个 C:3个 D:4个

  37.电容器的电流I=CΔUC/Δt,当UC增大时,电容器为( )。

  A:充电过程并吸取电能转换为电场能 B:充电过程并吸取电场能转换为电能